1.测试准备
确保测试设备(如电源、示波器、测试仪等)准确校准。
准备测试电路,包括待测IGBT、驱动电路、保护电路等。
确认IGBT的型号和参数。
2.主要测试参数
VGE(th):门极阈值电压,即IGBT开始导通时的门极电压。
VCE(sat):饱和压降,即IGBT导通时集电极和发射极之间的压降。
ICES:集电极-发射极漏电流,即在门极电压为零时,集电极和发射极之间的漏电流。
IGES:门极-发射极漏电流,即在集电极和发射极之间施加额定电压时,门极和发射极之间的漏电流。
td(on):开通延迟时间,即从门极电压达到额定值到集电极电流达到其10%所需的时间。
td(off):关断延迟时间,即从门极电压下降到额定值到集电极电流下降到其90%所需的时间。
3.测试步骤
测量VGE(th):
在集电极和发射极之间施加一个固定的偏置电压。
逐渐增加门极电压,测量集电极电流。
找到集电极电流开始明显上升的门极电压值,即为VGE(th)。
测量VCE(sat)和ICES:
在门极和发射极之间施加一个固定的驱动电压。
增加集电极电流至额定值,测量此时的VCE(sat)。
在门极电压为零的情况下,测量集电极和发射极之间的漏电流ICES。
测量IGES:
在集电极和发射极之间施加额定电压。
测量门极和发射极之间的漏电流IGES。
测量开关时间(td(on)和td(off)):
通过快速切换门极电压,使用示波器观察集电极电流的变化。
测量开通和关断延迟时间。
4.测试注意事项
测试时应保证环境温度稳定。
避免在测试过程中造成IGBT的损坏。
所有测试应在规定的测试条件下进行,以保证数据的准确性。
通过上述测试,可以全面了解单管IGBT的静态特性,为IGBT的应用提供重要的参考数据。在测试过程中应严格遵循相关标准,确保测试结果的准确性和可靠性。
Follow us
Website: www.szwanbo.com
Tel: 0755-82895217 13715302806
Fax: 0755-88607056
Address: 405-408, East Building 24, Longbi Industrial Zone, Bantian, Longgang District, Shenzhen