PD（光电二极管）暗电流是指在没有任何光照的情况下，光电二极管中由于热激发等因素产生的电流。暗电流是衡量光电二极管性能的一个重要参数，它反映了光电二极管在无光条件下的噪声水平。暗电流越小，光电二极管的性能越好，信号的质量也就越高。

　　以下是影响暗电流的几个因素：

　　温度：温度是影响暗电流的主要因素。温度升高时，半导体材料中的载流子浓度增加，导致暗电流增大。因此，在设计和使用光电二极管时，通常会采取降温措施来降低暗电流。

　　材料缺陷：半导体材料中的缺陷会形成复合中心，增加载流子的产生与复合，从而导致暗电流增大。

　　偏置电压：增加偏置电压会增大电场的强度，促进载流子的运动，导致暗电流增大。

　　器件结构：不同的器件结构对暗电流也有影响。例如，采用一定的结构设计可以减少表面复合，从而降低暗电流。

　　在应用中，为了降低暗电流，可以采取以下措施：

　　冷却：使用制冷设备降低光电二极管的温度。

　　选择高质量材料：使用缺陷少、纯度高的半导体材料。

　　优化器件结构：设计更合理的器件结构，减少表面复合。

　　控制偏置电压：在满足性能要求的前提下，尽量使用较低的偏置电压。

　　了解和控制暗电流对于提高光电检测系统的性能具有重要意义，特别是在低光强检测、高精度测量等应用场合。