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SP26S系列半导体静态参数测量系统
型号:SP26S2100H、SP26S3200H、SP26S3400H、SP26S8600H
品牌:新锐中科
价格:
描述:新锐中科功率器件静态参数测试系统,集多种测量功能⼀体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT,以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有⾼电压和⼤电流特性、μΩ级导通电阻精确测量、nA级漏电流测量能⼒等特点。⽀持⾼压模式下功率器件结电容测试,如输⼊电容、输出电容、反向传输电容等。
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  系统概述:


  新锐中科功率器件静态参数测试系统,集多种测量功能⼀体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT,以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有⾼电压和⼤电流特性、μΩ级导通电阻精确测量、nA级漏电流测量能⼒等特点。⽀持⾼压模式下功率器件结电容测试,如输⼊电容、输出电容、反向传输电容等。


  系统组成:


  新锐中科功率器件静态参数测试系统,主要包括测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件,以及相关测试配件等构成。整套系统采⽤新锐中科⾃主开发的测试主机,内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专⽤上位机测试软件,可根据测试项⽬需要,设置不同的电压、电流等参数,以满⾜不同测试需求。测试数据可保存与导出,并可⽣成I-V以及C-V特性曲线。此外,测试主机可与探针台搭配使⽤,实现晶圆级芯⽚测试。

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