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普赛斯功率器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μQ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。
普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如I0SFET、BJT、IGBT以及sic、Gam第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、以Ω级J确测量、n级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块,模块化的设计测试方法灵活,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。
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